Hình ảnh mang tính chất tham khảo, vui lòng liên hệ với chúng tôi để có được hình ảnh thực tế

SIHB20N50E-GE3

Số bộ phận của nhà sản xuất:	SIHB20N50E-GE3
nhà chế tạo:	Vishay / Siliconix
Một phần của mô tả:	MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Bảng dữ liệu:	SIHB20N50E-GE3 Bảng dữ liệu
Trạng thái khách hàng tiềm năng / Trạng thái RoHS:	Không chì / Tuân thủ RoHS
Tình trạng hàng hóa:	Trong kho
Chuyển từ:	Hong Kong
Cách vận chuyển:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NHẬN XÉT: Vishay / Siliconix # C1 # có sẵn tại chipnets.com. Chúng tôi chỉ bán Phần mới & Phần gốc và cung cấp thời gian bảo hành 1 năm. Nếu bạn muốn biết thêm về sản phẩm hoặc áp dụng giá tốt hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi nhấp vào Chat trực tuyến hoặc gửi báo giá cho chúng tôi.

Tất cả các Thành phần Eelctronics sẽ được đóng gói rất an toàn bởi lớp bảo vệ chống tĩnh điện ESD.

package

Sự chỉ rõ

Kiểu	Sự miêu tả
Loạt	-
Gói hàng	Bulk
Trạng thái bộ phận	Active
Loại FET	N-Channel
Công nghệ	MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến điện áp nguồn (Vdss)	500 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Điện áp ổ đĩa (Bật tối đa, Bật tối thiểu)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	184mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Tối đa) @ Id	4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs	92 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)	±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	1640 pF @ 100 V
Tính năng FET	-
Tiêu tán công suất (Tối đa)	179W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động	-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp	Surface Mount
Gói thiết bị của nhà cung cấp	D²PAK (TO-263)
Gói / Trường hợp	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

CÁC LỰA CHỌN MUA HÀNG

Tình trạng tồn kho: 718

Tối thiểu: 1

Số lượng	Đơn giá	Ext. Giá bán
Giá không có sẵn, vui lòng RFQ

Tính cước phí

US $ 40 của FedEx.

Đến sau 3-5 ngày

Chuyển phát nhanh: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Miễn phí vận chuyển 0,5kg đầu tiên cho các đơn hàng trên 150 đô la, Quá cân sẽ được tính phí riêng

Mô hình phổ biến

Mục này đã được thêm vào giỏ hàng của bạn.