Hình ảnh mang tính chất tham khảo, vui lòng liên hệ với chúng tôi để có được hình ảnh thực tế

RS1E200BNTB

Số bộ phận của nhà sản xuất:	RS1E200BNTB
nhà chế tạo:	ROHM Semiconductor
Một phần của mô tả:	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Bảng dữ liệu:	RS1E200BNTB Bảng dữ liệu
Trạng thái khách hàng tiềm năng / Trạng thái RoHS:	Không chì / Tuân thủ RoHS
Tình trạng hàng hóa:	Trong kho
Chuyển từ:	Hong Kong
Cách vận chuyển:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NHẬN XÉT: ROHM Semiconductor # C1 # có sẵn tại chipnets.com. Chúng tôi chỉ bán Phần mới & Phần gốc và cung cấp thời gian bảo hành 1 năm. Nếu bạn muốn biết thêm về sản phẩm hoặc áp dụng giá tốt hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi nhấp vào Chat trực tuyến hoặc gửi báo giá cho chúng tôi.

Tất cả các Thành phần Eelctronics sẽ được đóng gói rất an toàn bởi lớp bảo vệ chống tĩnh điện ESD.

package

Sự chỉ rõ

Kiểu	Sự miêu tả
Loạt	-
Gói hàng	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Trạng thái bộ phận	Active
Loại FET	N-Channel
Công nghệ	MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến điện áp nguồn (Vdss)	30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Điện áp ổ đĩa (Bật tối đa, Bật tối thiểu)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Tối đa) @ Id	2.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs	59 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)	±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	3100 pF @ 15 V
Tính năng FET	-
Tiêu tán công suất (Tối đa)	3W (Ta), 25W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động	150°C (TJ)
Kiểu lắp	Surface Mount
Gói thiết bị của nhà cung cấp	8-HSOP
Gói / Trường hợp	8-PowerTDFN

CÁC LỰA CHỌN MUA HÀNG

Tình trạng tồn kho: 374

Tối thiểu: 1

Số lượng	Đơn giá	Ext. Giá bán
Giá không có sẵn, vui lòng RFQ

Tính cước phí

US $ 40 của FedEx.

Đến sau 3-5 ngày

Chuyển phát nhanh: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Miễn phí vận chuyển 0,5kg đầu tiên cho các đơn hàng trên 150 đô la, Quá cân sẽ được tính phí riêng

Mô hình phổ biến

Mục này đã được thêm vào giỏ hàng của bạn.