Hình ảnh mang tính chất tham khảo, vui lòng liên hệ với chúng tôi để có được hình ảnh thực tế

CSD25213W10

Số bộ phận của nhà sản xuất:	CSD25213W10
nhà chế tạo:	Texas Instruments
Một phần của mô tả:	MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Bảng dữ liệu:	CSD25213W10 Bảng dữ liệu
Trạng thái khách hàng tiềm năng / Trạng thái RoHS:	Không chì / Tuân thủ RoHS
Tình trạng hàng hóa:	Trong kho
Chuyển từ:	Hong Kong
Cách vận chuyển:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NHẬN XÉT: Texas Instruments # C1 # có sẵn tại chipnets.com. Chúng tôi chỉ bán Phần mới & Phần gốc và cung cấp thời gian bảo hành 1 năm. Nếu bạn muốn biết thêm về sản phẩm hoặc áp dụng giá tốt hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi nhấp vào Chat trực tuyến hoặc gửi báo giá cho chúng tôi.

Tất cả các Thành phần Eelctronics sẽ được đóng gói rất an toàn bởi lớp bảo vệ chống tĩnh điện ESD.

package

Sự chỉ rõ

Kiểu	Sự miêu tả
Loạt	NexFET™
Gói hàng	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Trạng thái bộ phận	Active
Loại FET	P-Channel
Công nghệ	MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến điện áp nguồn (Vdss)	20 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C	1.6A (Ta)
Điện áp ổ đĩa (Bật tối đa, Bật tối thiểu)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	47mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Tối đa) @ Id	1.1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs	2.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)	-6V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	478 pF @ 10 V
Tính năng FET	-
Tiêu tán công suất (Tối đa)	1W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động	-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp	Surface Mount
Gói thiết bị của nhà cung cấp	4-DSBGA (1x1)
Gói / Trường hợp	4-UFBGA, DSBGA

CÁC LỰA CHỌN MUA HÀNG

Tình trạng tồn kho: 17663

Tối thiểu: 1

Số lượng	Đơn giá	Ext. Giá bán
Giá không có sẵn, vui lòng RFQ

Tính cước phí

US $ 40 của FedEx.

Đến sau 3-5 ngày

Chuyển phát nhanh: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Miễn phí vận chuyển 0,5kg đầu tiên cho các đơn hàng trên 150 đô la, Quá cân sẽ được tính phí riêng

Mô hình phổ biến

Mục này đã được thêm vào giỏ hàng của bạn.