Hình ảnh mang tính chất tham khảo, vui lòng liên hệ với chúng tôi để có được hình ảnh thực tế
Số bộ phận của nhà sản xuất: | SISH108DN-T1-GE3 |
nhà chế tạo: | Vishay / Siliconix |
Một phần của mô tả: | MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH |
Trạng thái khách hàng tiềm năng / Trạng thái RoHS: | Không chì / Tuân thủ RoHS |
Tình trạng hàng hóa: | Trong kho |
Chuyển từ: | Hong Kong |
Cách vận chuyển: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Kiểu | Sự miêu tả |
---|---|
Loạt | TrenchFET® Gen II |
Gói hàng | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Trạng thái bộ phận | Active |
Loại FET | N-Channel |
Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
Xả đến điện áp nguồn (Vdss) | 20 V |
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
Điện áp ổ đĩa (Bật tối đa, Bật tối thiểu) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Tối đa) @ Id | 2V @ 250µA |
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
Vgs (Tối đa) | ±16V |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Tính năng FET | - |
Tiêu tán công suất (Tối đa) | 1.5W (Ta) |
Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Kiểu lắp | Surface Mount |
Gói thiết bị của nhà cung cấp | PowerPAK® 1212-8SH |
Gói / Trường hợp | PowerPAK® 1212-8SH |
Tình trạng tồn kho: 6000
Tối thiểu: 1
Số lượng | Đơn giá | Ext. Giá bán |
---|---|---|
![]() Giá không có sẵn, vui lòng RFQ |
US $ 40 của FedEx.
Đến sau 3-5 ngày
Chuyển phát nhanh: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Miễn phí vận chuyển 0,5kg đầu tiên cho các đơn hàng trên 150 đô la, Quá cân sẽ được tính phí riêng