Hình ảnh mang tính chất tham khảo, vui lòng liên hệ với chúng tôi để có được hình ảnh thực tế

TPS1101D

Số bộ phận của nhà sản xuất:	TPS1101D
nhà chế tạo:	Texas Instruments
Một phần của mô tả:	MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
Trạng thái khách hàng tiềm năng / Trạng thái RoHS:	Không chì / Tuân thủ RoHS
Tình trạng hàng hóa:	Trong kho
Chuyển từ:	Hong Kong
Cách vận chuyển:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NHẬN XÉT: Texas Instruments # C1 # có sẵn tại chipnets.com. Chúng tôi chỉ bán Phần mới & Phần gốc và cung cấp thời gian bảo hành 1 năm. Nếu bạn muốn biết thêm về sản phẩm hoặc áp dụng giá tốt hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi nhấp vào Chat trực tuyến hoặc gửi báo giá cho chúng tôi.

Tất cả các Thành phần Eelctronics sẽ được đóng gói rất an toàn bởi lớp bảo vệ chống tĩnh điện ESD.

package

Sự chỉ rõ

Kiểu	Sự miêu tả
Loạt	-
Gói hàng	Tube
Trạng thái bộ phận	Active
Loại FET	P-Channel
Công nghệ	MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến điện áp nguồn (Vdss)	15 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C	2.3A (Ta)
Điện áp ổ đĩa (Bật tối đa, Bật tối thiểu)	2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Tối đa) @ Id	1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs	11.25 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)	+2V, -15V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	-
Tính năng FET	-
Tiêu tán công suất (Tối đa)	791mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động	-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp	Surface Mount
Gói thiết bị của nhà cung cấp	8-SOIC
Gói / Trường hợp	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

CÁC LỰA CHỌN MUA HÀNG

Tình trạng tồn kho: 222

Tối thiểu: 1

Số lượng	Đơn giá	Ext. Giá bán
Giá không có sẵn, vui lòng RFQ

Tính cước phí

US $ 40 của FedEx.

Đến sau 3-5 ngày

Chuyển phát nhanh: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Miễn phí vận chuyển 0,5kg đầu tiên cho các đơn hàng trên 150 đô la, Quá cân sẽ được tính phí riêng

Mô hình phổ biến

	TPS1100D Texas Instruments
	TPS1100PW Texas Instruments
	TPS1101PWR Rochester Electronics
	TPS1100PWR Rochester Electronics
	TPS1101DR Texas Instruments
	TPS1101D Texas Instruments
	TPS1100DR Rochester Electronics

Mục này đã được thêm vào giỏ hàng của bạn.