Hình ảnh mang tính chất tham khảo, vui lòng liên hệ với chúng tôi để có được hình ảnh thực tế

A2G35S160-01SR3

Số bộ phận của nhà sản xuất:	A2G35S160-01SR3
nhà chế tạo:	NXP Semiconductors
Một phần của mô tả:	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Bảng dữ liệu:	A2G35S160-01SR3 Bảng dữ liệu
Trạng thái khách hàng tiềm năng / Trạng thái RoHS:	Không chì / Tuân thủ RoHS
Tình trạng hàng hóa:	Trong kho
Chuyển từ:	Hong Kong
Cách vận chuyển:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NHẬN XÉT: NXP Semiconductors # C1 # có sẵn tại chipnets.com. Chúng tôi chỉ bán Phần mới & Phần gốc và cung cấp thời gian bảo hành 1 năm. Nếu bạn muốn biết thêm về sản phẩm hoặc áp dụng giá tốt hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi nhấp vào Chat trực tuyến hoặc gửi báo giá cho chúng tôi.

Tất cả các Thành phần Eelctronics sẽ được đóng gói rất an toàn bởi lớp bảo vệ chống tĩnh điện ESD.

package

Sự chỉ rõ

Kiểu	Sự miêu tả
Loạt	-
Gói hàng	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Trạng thái bộ phận	Active
Loại bóng bán dẫn	LDMOS
Tần số	3.4GHz ~ 3.6GHz
Thu được	15.7dB
Điện áp - Thử nghiệm	48 V
Xếp hạng hiện tại (Amps)	-
Hình tiếng ồn	-
Bài kiểm tra hiện tại	190 mA
Nguồn - Đầu ra	51dBm
Điện áp - Xếp hạng	125 V
Gói / Trường hợp	NI-400S-2S
Gói thiết bị của nhà cung cấp	NI-400S-2S

CÁC LỰA CHỌN MUA HÀNG

Tình trạng tồn kho: 224

Tối thiểu: 1

Số lượng	Đơn giá	Ext. Giá bán
Giá không có sẵn, vui lòng RFQ

Tính cước phí

US $ 40 của FedEx.

Đến sau 3-5 ngày

Chuyển phát nhanh: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Miễn phí vận chuyển 0,5kg đầu tiên cho các đơn hàng trên 150 đô la, Quá cân sẽ được tính phí riêng

Mô hình phổ biến

	A2G35S160-01SR3 NXP Semiconductors
	A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors

Mục này đã được thêm vào giỏ hàng của bạn.