Hình ảnh mang tính chất tham khảo, vui lòng liên hệ với chúng tôi để có được hình ảnh thực tế

MT57W1MH18JF-4

Số bộ phận của nhà sản xuất:	MT57W1MH18JF-4
nhà chế tạo:	Rochester Electronics
Một phần của mô tả:	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Trạng thái khách hàng tiềm năng / Trạng thái RoHS:	Không chì / Tuân thủ RoHS
Tình trạng hàng hóa:	Trong kho
Chuyển từ:	Hong Kong
Cách vận chuyển:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NHẬN XÉT: Rochester Electronics # C1 # có sẵn tại chipnets.com. Chúng tôi chỉ bán Phần mới & Phần gốc và cung cấp thời gian bảo hành 1 năm. Nếu bạn muốn biết thêm về sản phẩm hoặc áp dụng giá tốt hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi nhấp vào Chat trực tuyến hoặc gửi báo giá cho chúng tôi.

Tất cả các Thành phần Eelctronics sẽ được đóng gói rất an toàn bởi lớp bảo vệ chống tĩnh điện ESD.

package

Sự chỉ rõ

Kiểu	Sự miêu tả
Loạt	-
Gói hàng	Bulk
Trạng thái bộ phận	Active
Loại bộ nhớ	Volatile
Định dạng bộ nhớ	SRAM
Công nghệ	SRAM - DDR2
Dung lượng bộ nhớ	18Mb (1M x 18)
Giao diện bộ nhớ	Parallel
Tần số đồng hồ	250 MHz
Thời gian chu kỳ viết - Word, Trang	-
Thời gian truy cập	4 ns
Cung cấp điện áp	1.7V ~ 1.9V
Nhiệt độ hoạt động	0°C ~ 70°C (TA)
Kiểu lắp	Surface Mount
Gói / Trường hợp	165-TBGA
Gói thiết bị của nhà cung cấp	165-FBGA (13x15)

CÁC LỰA CHỌN MUA HÀNG

Tình trạng tồn kho: 153

Tối thiểu: 1

Số lượng	Đơn giá	Ext. Giá bán
Giá không có sẵn, vui lòng RFQ

Tính cước phí

US $ 40 của FedEx.

Đến sau 3-5 ngày

Chuyển phát nhanh: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Miễn phí vận chuyển 0,5kg đầu tiên cho các đơn hàng trên 150 đô la, Quá cân sẽ được tính phí riêng

Mô hình phổ biến

	MT57W1MH18JF-4 Rochester Electronics
	MT57W512H36JF-7.5 Rochester Electronics
	MT57W512H36JF-5 Rochester Electronics
	MT57V512H36EF-5 Rochester Electronics
	MT57W1MH18JF-6 Rochester Electronics
	MT57V1MH18EF-6 Rochester Electronics
	MT57W512H36BF-7.5 Rochester Electronics
	MT57W512H36JF-4 Rochester Electronics
	MT57W1MH18BF-7.5 Rochester Electronics
	MT57W2MH8CF-4 Rochester Electronics

Mục này đã được thêm vào giỏ hàng của bạn.