Hình ảnh mang tính chất tham khảo, vui lòng liên hệ với chúng tôi để có được hình ảnh thực tế

1N3767

Số bộ phận của nhà sản xuất:	1N3767
nhà chế tạo:	GeneSiC Semiconductor
Một phần của mô tả:	DIODE GEN PURP 900V 35A DO5
Bảng dữ liệu:	1N3767 Bảng dữ liệu
Trạng thái khách hàng tiềm năng / Trạng thái RoHS:	Không chì / Tuân thủ RoHS
Tình trạng hàng hóa:	Trong kho
Chuyển từ:	Hong Kong
Cách vận chuyển:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NHẬN XÉT: GeneSiC Semiconductor # C1 # có sẵn tại chipnets.com. Chúng tôi chỉ bán Phần mới & Phần gốc và cung cấp thời gian bảo hành 1 năm. Nếu bạn muốn biết thêm về sản phẩm hoặc áp dụng giá tốt hơn, vui lòng liên hệ với chúng tôi nhấp vào Chat trực tuyến hoặc gửi báo giá cho chúng tôi.

Tất cả các Thành phần Eelctronics sẽ được đóng gói rất an toàn bởi lớp bảo vệ chống tĩnh điện ESD.

package

Sự chỉ rõ

Kiểu	Sự miêu tả
Loạt	-
Gói hàng	Bulk
Trạng thái bộ phận	Active
Loại diode	Standard
Điện áp - Đảo chiều DC (Vr) (Tối đa)	900 V
Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)	35A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu	1.2 V @ 35 A
Tốc độ	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Thời gian khôi phục ngược (trr)	-
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr	10 µA @ 50 V
Điện dung @ Vr, F	-
Kiểu lắp	Chassis, Stud Mount
Gói / Trường hợp	DO-203AB, DO-5, Stud
Gói thiết bị của nhà cung cấp	DO-5
Nhiệt độ hoạt động - Đường giao nhau	-65°C ~ 190°C

CÁC LỰA CHỌN MUA HÀNG

Tình trạng tồn kho: Vận chuyển trong ngày

Tối thiểu: 1

Số lượng	Đơn giá	Ext. Giá bán
Giá không có sẵn, vui lòng RFQ

Tính cước phí

US $ 40 của FedEx.

Đến sau 3-5 ngày

Chuyển phát nhanh: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Miễn phí vận chuyển 0,5kg đầu tiên cho các đơn hàng trên 150 đô la, Quá cân sẽ được tính phí riêng

Mô hình phổ biến

Mục này đã được thêm vào giỏ hàng của bạn.